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中国3纳米晶体管获突破 在芯片前沿正面竞争

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发表于 2019-5-29 10:12:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

中国3纳米晶体管研发获突破 在芯片前沿发起正面竞争


核心提示:报道称,殷华湘说,这项突破将让中国“在芯片研发的前沿同世界头号角色进行正面竞争”。他说:“在过去,我们看着其他人竞争。现在,我们在同其他人竞争。”

参考消息网5月28日报道 港媒称,内地的科学家说,他们已经研发出一种晶体管,这种晶体管将大大增强芯片的性能,并大幅降低它们的能耗。

据香港《南华早报》网站5月27日报道,现如今,市场上最先进的计算机芯片使用7纳米晶体管。中国科学院微电子研究所微电子设备与集成技术领域的专家殷华湘说,他的团队已经研发出3纳米晶体管——相当于一条人类DNA链的宽度,在一个指甲盖大小的芯片上能安装数百亿个这种晶体管。

殷华湘说,晶体管变得越小,芯片上就能安装越多的晶体管,这会让处理器的性能显著提升。晶体管是处理器的基本部件。殷华湘说,用3纳米晶体管制造的处理器将会增加计算速度,并降低能耗。比如一位智能手机用户可以整天玩需要大量计算能力的游戏,却不需要为电池重新充电。

3纳米芯片

3纳米芯片


殷华湘说,他的团队还必须克服一些重大障碍。他们的研究成果本月部分发表在同行评议杂志《电气与电子工程师协会电子器件通讯》上。其中一个障碍是“波尔兹曼暴政”。路德维希·波尔兹曼是19世纪的奥地利物理学家。“波尔兹曼暴政”描述的是有关电子在一个空间中的分布问题。对芯片研发者来说,这意味着随着更多较小的晶体管安装到芯片上,晶体管所需电流产生的热量将烧毁芯片。

报道称,物理学家已经为这个问题提供了解决办法。殷华湘说,他的团队使用一种称为“负电容”的方法,这样他们能用理论上所需最小电量的一半电量来为晶体管提供电力。这种晶体管实现商业应用可能要花几年时间。该团队正在进行材料和质量控制方面的工作。

殷华湘说:“这是我们工作中最激动人心的部分。这不仅是实验室中的又一项新发现。它有着实际应用的巨大潜力。而我们拥有专利。”

报道称,殷华湘说,这项突破将让中国“在芯片研发的前沿同世界头号角色进行正面竞争”。他说:“在过去,我们看着其他人竞争。现在,我们在同其他人竞争。”

据报道,中国还在研发一种原子大小(0.5纳米)的晶体管,而其他国家已经加入将3纳米晶体管投入市场的竞赛。

韩国三星公司说,它计划到明年上半年完成3纳米晶体管的研发。三星说,同7纳米技术相比,用它的3纳米晶体管制造的处理器只需用一半的电力,性能却会提高35%。三星没有说它预计这些芯片将于何时投产。

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