三星512G eUFS 3.0闪存正式量产 速度达2G/s

行者

三星512GB eUFS 3.0闪存正式量产 速度达2100MB/s


2 月 28 日消息，日前，三星电子(Samsung Electronics)宣布，业内首款基于第五代 V-NAND 的 512GB eUFS 3.0 嵌入式通用闪存解决方案，已经开始进入批量生产阶段。根据三星公布的信息了解，eUFS 3.0 闪存的读取速度是 eUFS 2.1 的两倍，写入速度则是 eUFS 2.1 的 1.5 倍以上。更具体来说，eUFS 3.0 闪存的连续读取速度达到了 2100 MB/s，写入速度也提升到了 410MB/s。随记读写性能比目前 eUFS 2.1 提高了 36％，分别高达 63000 IOPS 和 68000 IOPS，比一般 microSD 卡（100 IOPS）快 630 倍。

三星512GB eUFS

三星表示，新的 eUFS 3.0 解决方案比 SATA 固态硬盘(SSD)速度还要“快 4 倍”，比普通的 microSD 卡“快 20 倍”，在高端智能手机上“大约 3 秒内就能将一部 1080p FULL HD 全高清电影传输到 PC”。三星明确，eUFS 3.0 闪存技术将会应用于下一代智能手机当中，包括即将上市的三星 Galaxy Fold 可折叠智能手机。


说实话，eUFS 3.0 闪存技术如此快速进入量产阶段令人欣喜，毕竟一个月前三星才发布了 1TB 容量的 eUFS 2.1 闪存解决方案，其读取速度是 512GB eUFS 3.0 的一半。在过去三年时间里，三星的闪存储存技术从未迎来如此飞跃式的提升。从上图可以看到， 2016 年的 256GB eUFS 2.0 读取速度就已经达到了 850MB/s，但直到去年仍沿用 512GB 版。毫无疑问，搭载 512GB eUFS 3.0 的旗舰设备将在某些移动性能方面迎来显著的提升，包括文件传输、应用程序安装、访问设备文件等等。不过，移动设备储存技术迎来的好消息不止一个，例如前几天刚刚发布的 MicroSD express 卡规范，理论上文件传输速率最高可达 985MB/s，因此三星 eUFS 3.0 无疑是 MicroSD express 卡外部储存卡的最佳配搭。


三星最后确认，512GB eUFS 3.0和 128GB eUFS 3.0 闪存芯片将在本月底开始出货，而 1TB 和 256GB 闪存计划到今年下半年才正式量产。



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