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三星512G eUFS 3.0闪存正式量产 速度达2G/s

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发表于 2019-2-28 15:35:55 | 显示全部楼层 |阅读模式


三星512GB eUFS 3.0闪存正式量产 速度达2100MB/s


2 月 28 日消息,日前,三星电子(Samsung Electronics)宣布,业内首款基于第五代 V-NAND 的 512GB eUFS 3.0 嵌入式通用闪存解决方案,已经开始进入批量生产阶段。根据三星公布的信息了解,eUFS 3.0 闪存的读取速度是 eUFS 2.1 的两倍,写入速度则是 eUFS 2.1 的 1.5 倍以上。更具体来说,eUFS 3.0 闪存的连续读取速度达到了 2100 MB/s,写入速度也提升到了 410MB/s。随记读写性能比目前 eUFS 2.1 提高了 36%,分别高达 63000 IOPS 和 68000 IOPS,比一般 microSD 卡(100 IOPS)快 630 倍。

三星512GB eUFS

三星512GB eUFS


三星表示,新的 eUFS 3.0 解决方案比 SATA 固态硬盘(SSD)速度还要“快 4 倍”,比普通的 microSD 卡“快 20 倍”,在高端智能手机上“大约 3 秒内就能将一部 1080p FULL HD 全高清电影传输到 PC”。三星明确,eUFS 3.0 闪存技术将会应用于下一代智能手机当中,包括即将上市的三星 Galaxy Fold 可折叠智能手机。


说实话,eUFS 3.0 闪存技术如此快速进入量产阶段令人欣喜,毕竟一个月前三星才发布了 1TB 容量的 eUFS 2.1 闪存解决方案,其读取速度是 512GB eUFS 3.0 的一半。在过去三年时间里,三星的闪存储存技术从未迎来如此飞跃式的提升。从上图可以看到, 2016 年的 256GB eUFS 2.0 读取速度就已经达到了 850MB/s,但直到去年仍沿用 512GB 版。毫无疑问,搭载 512GB eUFS 3.0 的旗舰设备将在某些移动性能方面迎来显著的提升,包括文件传输、应用程序安装、访问设备文件等等。不过,移动设备储存技术迎来的好消息不止一个,例如前几天刚刚发布的 MicroSD express 卡规范,理论上文件传输速率最高可达 985MB/s,因此三星 eUFS 3.0 无疑是 MicroSD express 卡外部储存卡的最佳配搭。


三星最后确认,512GB eUFS 3.0和 128GB eUFS 3.0 闪存芯片将在本月底开始出货,而 1TB 和 256GB 闪存计划到今年下半年才正式量产。



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